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参数目录37184
> BSP19AT1G TRANS NPN 100MA 350V SOT223
型号:
BSP19AT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN 100MA 350V SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BSP19AT1G PDF
产品目录绘图
Transistor SOT-223 Pkg
标准包装
10
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
350V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 4mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 20mA,10V
功率 - 最大
800mW
频率 - 转换
70MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
标准包装
产品目录页面
1560 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BSP19AT1GOSDKR
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